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VSLY5850

Name: Vishay VSLY5850
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 782-VSLY5850
Price: 4.82 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

782-VSLY5850

Fabricante N.º:

VSLY5850

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Emisores infrarrojos 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.

Hoja de datos:

VSLY5850 Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/4.82	S/4.82
	S/3.53	S/35.30
	S/3.00	S/300.00
	S/2.67	S/1,335.00
	S/2.59	S/2,590.00
	S/2.48	S/4,960.00
	S/2.27	S/9,080.00
	S/2.25	S/27,000.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Emisores infrarrojos
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Longitud de onda:	850 nm
Intensidad radiante:	600 mW/sr
Ángulo del haz:	3 deg
If - Corriente directa:	100 mA
Vf - Tensión directa:	1.65 V
Régimen de potencia:	190 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	10 ns
Color de iluminación:	Infrared
Forma de lentes:	Dome
Tipo de producto:	IR Emitters (IR LEDs)
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Infrared Data Communications
Nombre comercial:	SurfLight
Peso de la unidad:	449.665 mg

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Hoja de datos

VSLY5850 Hoja de datos

Application Notes

Processing Instructions for Mounting of Through-Hole LEDs

Models

PCN

Change of Production Location for 3mm and TELUX Devices (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541410090
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 854141000
TARIC:: 8541410000
MXHTS:: 8541410100
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

SurfLight™ IR Emitters

Vishay Semiconductors SurfLight™ Infrared (IR) Emitters feature 850nm or 940nm peak wavelength, GaAlAs surface emitter chip technology, high radiant power, high optical power, and high speed. SurfLight IR emitters have gullwing or reverse gullwing terminal configurations and are suitable for high pulse current operation. The 940nm IR emitters have a narrower half-degree angle of intensity and better response times for applications. These Vishay compared to the previous generation of IR emitters.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.

VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.