Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

VS-4C20CP07L-M3

Name: Vishay VS-4C20CP07L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C20CP07L-M3
Price: 27.22 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-VS-4C20CP07L-M3

Fabricante N.º:

VS-4C20CP07L-M3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

VS-4C20CP07L-M3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay Semiconductors VS-4C20CP07L-M3

En existencias: 490

Existencias:: 490 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/27.22	S/27.22
	S/17.85	S/178.50
	S/13.37	S/1,337.00
	S/11.35	S/5,675.00
	S/10.32	S/10,320.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247AD-3
Configuración:	Common Cathode
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.3 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	60 A
Ir - Corriente inversa:	50 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C20CP07L-M3
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	101 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

VS-4C20CP07L-M3 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.