T2G6000528-Q3 28V

Qorvo
772-T2G6000528-Q328V
T2G6000528-Q3 28V

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Qorvo T2G6000528-Q3 28V
Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
Restricción de entrega:
 Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:  
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Frecuencia de trabajo máxima: 6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 7 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: T2G6000528
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Alias de las piezas n.º: 1099997
Peso de la unidad: 4.382 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.