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SS10PH102-M3/I

Name: Vishay SS10PH102-M3/I
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SS10PH102-M3/I
Price: 5.29 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-SS10PH102-M3/I

Fabricante N.º:

SS10PH102-M3/I

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky 10A,100VG2PSKYSMPCRect.

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

SS10PH102-M3/I Hoja de datos (PDF)

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	S/5.29	S/5.29
	S/3.64	S/36.40
	S/2.30	S/230.00
	S/1.42	S/710.00
	S/1.05	S/1,050.00
	S/0.937	S/2,342.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 6500)
	S/0.808	S/5,252.00
	S/0.705	S/9,165.00
	S/0.641	S/12,499.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
Producto:	Schottky Rectifier
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-277A-2
Configuración:	Single
Tecnología:	Si
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	100 V
Vf - Tensión directa:	810 mV
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	180 A
Ir - Corriente inversa:	20 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SS10PH102
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	6500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	100 V

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Hoja de datos

SS10PH102-M3/I Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541100000

High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor High Current Density, Surface-Mount, High Voltage Schottky Rectifiers deliver robust performance for demanding power‑conversion applications. These rectifiers are available in a low‑profile SMPC (TO‑277A) package with a typical height of 1.1mm, making the rectifiers well‑suited for automated assembly and compact power‑supply designs. The Vishay components incorporate guard‑ring overvoltage protection and high‑barrier Schottky technology, enabling high reliability, low leakage current, and operation at junction temperatures up to +175°C.