SISF20DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF20DN-T1-GE3
SISF20DN-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212SCD-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: SISF
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 488.500 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

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