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SIA811ADJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA811ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA811ADJ-GE3
Price: 3.48 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SIA811ADJ-GE3

Fabricante N.º:

SIA811ADJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA811ADJ-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/3.48	S/3.48
	S/2.17	S/21.70
	S/1.41	S/141.00
	S/1.08	S/540.00
	S/0.968	S/968.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.963	S/2,889.00
	S/0.761	S/4,566.00
	S/0.748	S/6,732.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SC70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	116 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	6.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	LITTLE FOOT, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Alias de las piezas n.º:	SIA811ADJ-GE3
Peso de la unidad:	28 mg

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Hoja de datos

SIA811ADJ-T1-GE3 Hoja de datos

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerPAK SC-70 MOSFETs

Vishay Semiconductors PowerPAK® SC-70 MOSFET combines the tiny footprint of the SC-70 package with on-resistance comparable to the larger TSOP-6, resulting in very low power consumption in a package 50% smaller than the TSOP-6 and 27% thinner. The Vishay Semiconductor PowerPAK SC-70 MOSFET comes in a variety of configurations and voltage ratings for different applications, including single, single plus Schottky, and dual devices, in both n-channel and p-channel, in addition to n- and p-channel complementary pairs. The PowerPAK SC-70 MOSFET features voltage ranges between 8V and 30V with extremely low on-resistance values down to 0.011Ω at 4.5V.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.