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SIA413DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA413DJ-T1-GE3
Price: 6.24 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SIA413DJ-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIA413DJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

Hoja de datos:

SIA413DJ-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/6.24	S/6.24
	S/3.94	S/39.40
	S/2.62	S/262.00
	S/2.05	S/1,025.00
	S/1.87	S/1,870.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.69	S/5,070.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	150 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	38 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	SIA413DJ-GE3

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PowerPAK SC-70 MOSFETs

Vishay Semiconductors PowerPAK® SC-70 MOSFET combines the tiny footprint of the SC-70 package with on-resistance comparable to the larger TSOP-6, resulting in very low power consumption in a package 50% smaller than the TSOP-6 and 27% thinner. The Vishay Semiconductor PowerPAK SC-70 MOSFET comes in a variety of configurations and voltage ratings for different applications, including single, single plus Schottky, and dual devices, in both n-channel and p-channel, in addition to n- and p-channel complementary pairs. The PowerPAK SC-70 MOSFET features voltage ranges between 8V and 30V with extremely low on-resistance values down to 0.011Ω at 4.5V.