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SI7812DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7812DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7812DN-T1-GE3
Price: 12.08 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI7812DN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI7812DN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Hoja de datos:

SI7812DN-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/12.08	S/12.08
	S/7.83	S/78.30
	S/5.42	S/542.00
	S/4.43	S/2,215.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/4.12	S/12,360.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	75 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	52 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	50 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	23 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	130 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7812DN-GE3
Peso de la unidad:	1 g

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Hoja de datos

SI7812DN-T1-GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductors SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. These N-Channel (D-S) MOSFETs are PWM optimized, 100% R_g tested, halogen-free, and RoHS compliant. The SI78 MOSFETs are used in DC/DC converters, primary side switches for DC/DC applications, and synchronous rectifiers.