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SI7135DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7135DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7135DP-T1-GE3
Price: 12.73 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI7135DP-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI7135DP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SI7135DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/12.73	S/12.73
	S/7.61	S/76.10
	S/5.72	S/572.00
	S/4.77	S/2,385.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/4.39	S/13,170.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	167 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	50 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	95 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	100 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	110 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7135DP-GE3
Peso de la unidad:	506.600 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

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Vishay Si71 MOSFETs feature TrenchFET® Gen III Power MOSFET technology in low thermal resistance PowerPAK® 1212-8 and PowerPak SO-8 packages. The MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, ensuring reliability and performance. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. These compact MOSFETs are ideal for applications where space and thermal management are critical.