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SH8KB6TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB6TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB6TB1
Price: 6.11 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-SH8KB6TB1

Fabricante N.º:

SH8KB6TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8KB6TB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/6.11	S/6.11
	S/3.86	S/38.60
	S/2.56	S/256.00
	S/2.00	S/1,000.00
	S/1.82	S/1,820.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/1.63	S/4,075.00
	S/1.61	S/8,050.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	10.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	4.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.5 ns
Alias de las piezas n.º:	SH8KB6

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs feature two 40V or 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. The SH8K series offers low on-resistance and maximum R_DS(on) of 8.4mΩ, 12.4mΩ, or 19.4mΩ. Other features are 2W power dissipation and ±8.5A, ±10.5, or ±13.5A drain current ID. These RoHS-compliant MOSFETs are halogen free and use Pb-free plating. ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs are ideally suited for switching applications.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.