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SH8JB5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JB5TB1
Price: 13.2 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-SH8JB5TB1

Fabricante N.º:

SH8JB5TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8JB5TB1 Hoja de datos

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	S/ 8.56	S/ 85.60
	S/ 5.93	S/ 593.00
	S/ 4.99	S/ 2,495.00
	S/ 4.73	S/ 4,730.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/ 4.64	S/ 11,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	74 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	130 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	SH8JB5
Peso de la unidad:	83 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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