SCT4045DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DW7TL
SCT4045DW7TL

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 1,946

Existencias:
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Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/50.35 S/50.35
S/37.11 S/371.10
S/29.67 S/2,967.00
S/29.28 S/14,640.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
S/27.69 S/27,690.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
31 A
59 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
93 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Conformidad: Done
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 9.3 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 16 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 27 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.1 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4045DW7
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SCT4045DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DW7 N-Ch SiC power MOSFET offers low on-resistance of 45mΩ and a fast switching speed. The 750V SCT4045DW7 is simple to drive and easy to parallel. The device is suitable for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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