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SCT025W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3AG
Price: 77.7 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SCT025W120G3AG

Fabricante N.º:

SCT025W120G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

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	S/77.70	S/77.70
	S/56.85	S/568.50
	S/49.92	S/4,992.00
1,200	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	73 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	388 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tiempo de caída:	18.4 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	6.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	29.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14.4 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotor de STMicroelectronics están desarrollados con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST. Los dispositivos cuentan con bajo nivel de resistencia de encendido por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. Los MOSFET cuentan con una capacidad de temperatura en funcionamiento muy alta (TJ = 200°C), y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y sólido.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.