SCS215AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS215AGC17
SCS215AGC17

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCS215AGC17

En existencias: 6,417

Existencias:
6,417 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 6417 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 31.43 S/ 31.43
S/ 18.36 S/ 183.60
S/ 15.39 S/ 1,539.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
15 A
650 V
1.55 V
52 A
300 uA
+ 175 C
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Dp - Disipación de potencia : 110 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
Alias de las piezas n.º: SCS215AG
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.