Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SCS210KE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS210KE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210KE2HRC11
Price: 47.6 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SCS210KE2HRC11

Fabricante N.º:

SCS210KE2HRC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC AECQ

Hoja de datos:

SCS210KE2HRC11 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCS210KE2HRC11

En existencias: 798

Existencias:: 798 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/47.60	S/47.60
	S/27.13	S/271.30
	S/25.84	S/2,584.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Configuración:	Dual
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.6 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	45 A
Ir - Corriente inversa:	100 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Alias de las piezas n.º:	SCS210KE2HR

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCS210KE2HRC11 Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.