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RQ7G080ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7G080ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7G080ATTCR
Price: 7.53 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-RQ7G080ATTCR

Fabricante N.º:

RQ7G080ATTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -8.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Hoja de datos:

RQ7G080ATTCR Hoja de datos

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	S/7.53	S/7.53
	S/4.82	S/48.20
	S/3.20	S/320.00
	S/2.53	S/1,265.00
	S/2.31	S/2,310.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.15	S/6,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	18.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	105 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	42 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	145 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	RQ7G080AT
Peso de la unidad:	10 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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