RGS50TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS50TSX2DGC11
RGS50TSX2DGC11

Fabricante:

Descripción:
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 39.65 S/ 39.65
S/ 24.38 S/ 243.80

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
50 A
395 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Corriente de fuga puerta-emisor: 500 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: RGS50TSX2D
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

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