RD3G08DBKHRBTL
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A
En existencias: 2,000
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Existencias:
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En pedido:
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2,500
-
Plazo de entrega de fábrica:
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16Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/11.61 | S/11.61 | |
| S/7.53 | S/75.30 | |
| S/5.16 | S/516.00 | |
| S/4.19 | S/2,095.00 | |
| S/4.01 | S/4,010.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| S/3.91 | S/9,775.00 | |
Hoja de datos
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Perú
