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QH8JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JE5TCR
Price: 5.85 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-QH8JE5TCR

Fabricante N.º:

QH8JE5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Hoja de datos:

QH8JE5TCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/5.85	S/5.85
	S/3.69	S/36.90
	S/2.45	S/245.00
	S/1.91	S/955.00
	S/1.74	S/1,740.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.52	S/4,560.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	270 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	19.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	48 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	105 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.3 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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