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PJE8438_R1_00001

Name: Panjit PJE8438_R1_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJE8438_R1_00001
Price: 1.12 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJE8438_R1_00001

Fabricante N.º:

PJE8438_R1_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

Hoja de datos:

PJE8438_R1_00001 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/ -.--

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S/ -.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 1.12	S/ 1.12
	S/ 0.688	S/ 6.88
	S/ 0.43	S/ 43.00
	S/ 0.323	S/ 161.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	S/ 0.323	S/ 1,292.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-523-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	950 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	300 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	NFET-50TBMN
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.3 ns
Peso de la unidad:	2 mg

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PJE8438_R1_00001 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Understanding Medium Voltage and Super Junction MOSFET Datasheet Parameters (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.