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PJE138KTB89_R1_00701

Name: Panjit PJE138KTB89_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-PJE138KTB89R1701
Price: 1.68 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJE138KTB89R1701

Fabricante N.º:

PJE138KTB89_R1_00701

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 1.68	S/ 1.68
	S/ 1.04	S/ 10.40
	S/ 0.658	S/ 65.80
	S/ 0.49	S/ 245.00
	S/ 0.434	S/ 434.00
	S/ 0.391	S/ 782.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	S/ 0.314	S/ 1,256.00
	S/ 0.28	S/ 2,240.00
	S/ 0.271	S/ 6,504.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-89-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	350 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	630 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	223 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	23 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.2 ns
Alias de las piezas n.º:	PJE138KTB89
Peso de la unidad:	2.600 mg

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PJE138KTB89_R1_00701 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.