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PJD40N15_L2_00001

Name: Panjit PJD40N15_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD40N15L200001
Price: 2.6 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

241-PJD40N15L200001

Fabricante N.º:

PJD40N15_L2_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos:

PJD40N15_L2_00001 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	52 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	131 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	106 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	100 ns
Serie:	NFET-150SMN
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	297 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).