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PJA3474S_R1_00701

Name: Panjit PJA3474S_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-PJA3474SR100701
Price: 3.96 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJA3474SR100701

Fabricante N.º:

PJA3474S_R1_00701

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	S/ 3.96	S/ 3.96
	S/ 2.46	S/ 24.60
	S/ 1.60	S/ 160.00
	S/ 1.23	S/ 615.00
	S/ 1.11	S/ 1,110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/ 0.955	S/ 2,865.00
	S/ 0.882	S/ 5,292.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	118 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	4.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	11.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	7.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.9 ns
Alias de las piezas n.º:	PJA3474S
Peso de la unidad:	8.400 mg

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PJA3474S_R1_00701 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.