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PJA3414_R1_00001

Name: Panjit PJA3414_R1_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJA3414_R1_00001
Price: 2.02 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJA3414_R1_00001

Fabricante N.º:

PJA3414_R1_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos:

PJA3414_R1_00001 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/ -.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 2.02	S/ 2.02
	S/ 1.50	S/ 15.00
	S/ 0.851	S/ 85.10
	S/ 0.576	S/ 288.00
	S/ 0.439	S/ 439.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/ 0.361	S/ 1,083.00
	S/ 0.327	S/ 1,962.00
	S/ 0.267	S/ 2,403.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	4.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	PJA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Peso de la unidad:	8 mg

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PJA3414_R1_00001 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Understanding Medium Voltage and Super Junction MOSFET Datasheet Parameters (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.