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NX138BKHH

Name: Nexperia NX138BKHH
Brand: Nexperia
SKU: 771-NX138BKHH
Price: 0.94 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-NX138BKHH

Fabricante N.º:

NX138BKHH

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .38A

Hoja de datos:

NX138BKHH Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/0.946	S/0.95
	S/0.507	S/5.07
	S/0.344	S/34.40
	S/0.28	S/140.00
	S/0.254	S/254.00
	S/0.232	S/580.00
	S/0.215	S/1,075.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	S/0.181	S/1,810.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-0606-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	380 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	500 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.8 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-channel Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.9 ns
Alias de las piezas n.º:	934661737125

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CNHTS:: 8541290000
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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.