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NVTFS4C02NTAG

Name: onsemi NVTFS4C02NTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS4C02NTAG
Price: 10.19 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVTFS4C02NTAG

Fabricante N.º:

NVTFS4C02NTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

Hoja de datos:

NVTFS4C02NTAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/10.19	S/10.19
	S/7.31	S/73.10
	S/5.76	S/576.00
	S/4.77	S/2,385.00
	S/4.52	S/4,520.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/4.52	S/6,780.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	162 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVTFS4C02N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVTFS4C02NTAG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.