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NVMYS3D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D3N06CLTWG
Price: 10.02 PEN
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

863-NVMYS3D3N06CLTWG

Fabricante N.º:

NVMYS3D3N06CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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	S/10.02	S/10.02
	S/6.45	S/64.50
	S/4.39	S/439.00
	S/4.03	S/2,015.00
	S/3.41	S/3,410.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/3.19	S/9,570.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	133 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	40.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	96 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	130 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	58 ns
Serie:	NVMYS3D3N06CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	66 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	75 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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