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NVMFWS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D3N04XMT1G
Price: 9.85 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFWS1D3N04XMT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS1D3N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Ciclo de vida:

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	S/9.85	S/9.85
	S/6.32	S/63.20
	S/4.34	S/434.00
	S/3.44	S/1,720.00
	S/3.11	S/3,110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/3.11	S/4,665.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	195 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	38.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	90 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	105 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.2 ns
Serie:	NVMFWS1D3N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19.1 ns

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NVMFWS1D3N04XMT1G Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.