MWT-7F

CML Micro
938-MWT-7F
MWT-7F

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 10   Múltiples: 10
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/221.97 S/2,219.70
S/205.84 S/51,460.00
500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
CML Micro
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
GaAs
85 mA
26 GHz
15 dB
21 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marca: CML Micro
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: MOSFETs
Nombre comercial: MWT-7F
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

EOL

Other

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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