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MSC025SMB120B4N

Name: Microchip MSC025SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMB120B4N
Price: 58.44 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-MSC025SMB120B4N

Fabricante N.º:

MSC025SMB120B4N

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

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MSC025SMB120B4N Hoja de datos (PDF)

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	S/58.44	S/58.44
	S/53.92	S/1,617.60
	S/46.91	S/5,629.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	81 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	109 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	357 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6.2 ns
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.