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MR2A08AYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AYS35
Price: 153.38 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

936-MR2A08AYS35

Fabricante N.º:

MR2A08AYS35

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos:

MR2A08AYS35 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/153.38	S/153.38
	S/141.94	S/1,419.40
	S/137.43	S/3,435.75
	S/134.03	S/6,701.50
	S/131.80	S/13,180.00
	S/128.48	S/34,689.60
540	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-44
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	30 mA, 90 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Serie:	MR2A08A
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x8)
Peso de la unidad:	5.216 g

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Hoja de datos

MR2A08AYS35 Hoja de datos (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.