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MR25H128AMDF

Name: Everspin Technologies MR25H128AMDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128AMDF
Price: 67.21 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

936-MR25H128AMDF

Fabricante N.º:

MR25H128AMDF

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Hoja de datos:

MR25H128AMDF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/67.21	S/67.21
	S/62.44	S/624.40
	S/60.50	S/1,512.50
	S/59.08	S/2,954.00
	S/57.62	S/5,762.00
	S/55.73	S/13,932.50
	S/54.35	S/30,979.50
1,140	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Tipo de interfaz:	SPI
Tamaño de memoria:	128 kbit
Organización:	16 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	6 mA, 23 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MR25H128A
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	570
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Serial I/O (SPI)
Peso de la unidad:	5.163 g

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Everspin MRAM

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.