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MJD2873Q-13

Name: Diodes Incorporated MJD2873Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD2873Q-13
Price: 3.14 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-MJD2873Q-13

Fabricante N.º:

MJD2873Q-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Hoja de datos:

MJD2873Q-13 Hoja de datos (PDF)

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	S/ 3.14	S/ 3.14
	S/ 1.90	S/ 19.00
	S/ 1.25	S/ 125.00
	S/ 0.95	S/ 475.00
	S/ 0.839	S/ 839.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/ 0.765	S/ 1,912.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	50 V
Tensión VCBO colector-base:	70 V
Voltaje VEBO emisor-base:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	300 mV
Dp - Disipación de potencia :	2.6 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Corriente continua del colector:	2 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	40
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.