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MASTERGAN1LTR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1LTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1LTR
Price: 30.7 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-MASTERGAN1LTR

Fabricante N.º:

MASTERGAN1LTR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/30.70	S/30.70
	S/23.69	S/236.90
	S/21.97	S/549.25
	S/20.04	S/2,004.00
	S/19.09	S/4,772.50
	S/18.53	S/9,265.00
	S/18.10	S/18,100.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/16.34	S/49,020.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-31
Número de salidas:	4 Output
Corriente de salida:	17 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.75 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	9.5 V
Configuración:	Non-Inverting
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de retardo de apagado máximo:	45 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	45 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	10 A
Dp - Disipación de potencia :	40 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	70 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	330 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.