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MAPC-A3009-AB000

Name: MACOM MAPC-A3009-AB000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3009-AB000
Price: 2655.38 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

937-MAPC-A3009-AB000

Fabricante N.º:

MAPC-A3009-AB000

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MAPC-A3009-AB000 Hoja de datos (PDF)

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	S/ 2,655.38	S/ 2,655.38
	S/ 2,508.41	S/ 25,084.10

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Alertas de entrega:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	440223
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	84 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	14.2 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Potencia de salida:	48.6 dBm
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo:	GaN on SiC Transistor

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.