KTDM4G4B826BGIEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGIEAT
Price: 50.27 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

473-M4G4B826BGIEAT

Fabricante N.º:

KTDM4G4B826BGIEAT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

Hoja de datos:

KTDM4G4B826BGIEAT Hoja de datos (PDF)

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	S/ 50.27	S/ 50.27
	S/ 46.70	S/ 467.00
	S/ 45.28	S/ 1,132.00
	S/ 44.16	S/ 2,208.00
	S/ 43.09	S/ 4,309.00
	S/ 41.71	S/ 8,759.10
	S/ 40.64	S/ 17,068.80
	S/ 39.60	S/ 41,580.00
2,520	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	1.333 GHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-78
Organización:	512 M x 8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.26 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	210
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).