KTDM4G4B626BGIEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGIEAT
Price: 50.27 PEN
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

473-M4G4B626BGIEAT

Fabricante N.º:

KTDM4G4B626BGIEAT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial

Hoja de datos:

KTDM4G4B626BGIEAT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre SMARTsemi KTDM4G4B626BGIEAT

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/50.27	S/50.27
	S/46.70	S/467.00
	S/45.28	S/1,132.00
	S/44.20	S/2,210.00
	S/43.09	S/4,309.00
	S/41.71	S/8,258.58
	S/40.64	S/24,140.16
	S/39.60	S/47,044.80
2,574	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	1.333 GHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	256 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.26 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	198
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM4G4B626BGIEAT Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).