KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 50.27 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

473-M4G3C818BGCEAT

Fabricante N.º:

KTDM4G3C818BGCEAT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

Hoja de datos:

KTDM4G3C818BGCEAT Hoja de datos (PDF)

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	S/45.28	S/1,132.00
	S/44.20	S/2,210.00
	S/43.09	S/4,309.00
	S/41.71	S/8,759.10
	S/40.64	S/17,068.80
	S/39.60	S/41,580.00
2,520	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	933 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-78
Organización:	512 M x 8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	210
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.