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IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

Name: ISSI IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-6E4M16TBLL70BLIT
Price: 32.9 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-6E4M16TBLL70BLIT

Fabricante N.º:

IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

Fabricante:

ISSI

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 64Mb,Pseudo Tamaño de memoria RAM (SRAM),Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Hoja de datos:

IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/32.90	S/32.90
	S/30.62	S/306.20
	S/29.71	S/742.75
	S/28.98	S/1,449.00
	S/28.29	S/2,829.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/28.29	S/70,725.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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N.º de artículo del Fabricante:

IS66WVE4M16TBLL-70BLI

Embalaje:

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/32.81

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Organización:	4 M x 16
Tiempo de acceso:	70 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Corriente de suministro - Máx.:	30 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TFBGA-48
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	IS66WVE4M16TBLL
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	Asynchronous

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.