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IS43TR82560C-125KBL

Name: ISSI IS43TR82560C-125KBL
Brand: ISSI
SKU: 870-43TR82560C125KBL
Price: 46.14 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-43TR82560C125KBL

Fabricante N.º:

IS43TR82560C-125KBL

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 2G 256Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V

Hoja de datos:

IS43TR82560C-125KBL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/46.14	S/46.14
	S/42.87	S/428.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	800 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-78
Organización:	256 M x 8
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.425 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Serie:	IS43TR82560C
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	242
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	107 mA
Peso de la unidad:	1.759 g

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CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or 256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.