Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 5.46 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

942-IRF540ZPBF

Fabricante N.º:

IRF540ZPBF

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Hoja de datos:

IRF540ZPBF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IRF540ZPBF

En existencias: 12,860

Existencias:: 12,860 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/5.46	S/5.46
	S/3.36	S/33.60
	S/3.09	S/309.00
	S/2.44	S/1,220.00
	S/2.23	S/2,230.00
	S/2.13	S/4,260.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	92 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	2 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IRF540ZPBF Hoja de datos (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF540Z

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.