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IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 21.24 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKW30N65ET7XKSA1

Fabricante N.º:

IKW30N65ET7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Hoja de datos:

IKW30N65ET7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/21.24	S/21.24
	S/13.89	S/138.90
	S/10.88	S/1,088.00
	S/9.07	S/4,353.60
	S/8.43	S/10,116.00
	S/7.87	S/20,776.80

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.35 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKW30N65ET7 SP005348289

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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