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IKW25N120T2

Name: Infineon IKW25N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW25N120T2
Price: 26.02 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKW25N120T2

Fabricante N.º:

IKW25N120T2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IKW25N120T2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/26.02	S/26.02
	S/13.20	S/132.00
	S/11.78	S/1,178.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.7 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Dp - Disipación de potencia :	349 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT4
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
Peso de la unidad:	38 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.