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IGB110S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB110S10S1XTMA1
Price: 8.64 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IGB110S10S1XTMA1

Fabricante N.º:

IGB110S10S1XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/8.64	S/8.64
	S/5.33	S/53.30
	S/3.87	S/387.00
	S/3.26	S/1,630.00
	S/3.08	S/3,080.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/2.76	S/13,800.00
	S/2.66	S/26,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	23 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6.5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.9 V
Qg - Carga de puerta:	3.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	15 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	P-Channel
Tipo:	CoolGaN
Alias de las piezas n.º:	IGB110S10S1 SP005751575

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.