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IF170BST3

Name: InterFET IF170BST3
Brand: InterFET
SKU: 106-IF170BST3
Price: 8.9 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

106-IF170BST3

Fabricante N.º:

IF170BST3

Fabricante:

InterFET

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise

Hoja de datos:

IF170BST3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/8.34	S/8,340.00
	S/8.17	S/20,425.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	InterFET
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Serie:	IF170A
Empaquetado:	Bulk
Marca:	InterFET
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

IF170BST3 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

IF170x N-Channel JFETs

InterFET IF170x N-Channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages for mid-frequencies designs. These JFETs feature 1nV/√Hz typical low noise voltage, 22mS typical high gain, -30V reverse gate-source and gate-drain voltage, and 750fA typical @10V low gate leakage. The IF170x n-channel JFETs offer high radiation tolerance and a -65°C to 175°C operating junction temperature range. These JFETs are RoHS, REACH, and CMR compliant and available in SMT, TH, and bare die packages. Typical applications include amplifiers, oscillators, voltage regulators, noise generators, satellites, medical, signal mixers, headphone amplifiers, audio filters, ultrasound equipment, communications, medical imaging systems, and military.