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GE10MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE10MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE10MPS06E-TR
Price: 11.87 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

905-GE10MPS06E-TR

Fabricante N.º:

GE10MPS06E-TR

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/11.87	S/11.87
	S/10.45	S/104.50
	S/9.93	S/248.25
	S/9.20	S/920.00
	S/8.73	S/2,182.50
	S/8.43	S/4,215.00
	S/8.08	S/8,080.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/7.70	S/19,250.00
	S/7.40	S/37,000.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.25 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	55 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	GeneSiC Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Dp - Disipación de potencia :	191 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.