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GCMS080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080B120S1-E1
Price: 95.93 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GCMS080B120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMS080B120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Hoja de datos:

GCMS080B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/95.93	S/95.93
	S/69.62	S/696.20
	S/67.60	S/6,760.00
1,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	COPACK Power Module
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	14 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Dp - Disipación de potencia :	142 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	77 mOhms
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V

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Hoja de datos

GCMS080B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.