FDT86246 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
11,613En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 150 V 2 A 236 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi / Fairchild FDT86246_F081
onsemi / Fairchild Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N/A
Si