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FDMC2523P

Name: onsemi FDMC2523P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC2523P
Price: 8.34 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMC2523P

Fabricante N.º:

FDMC2523P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

Hoja de datos:

FDMC2523P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.34	S/8.34
	S/5.68	S/56.80
	S/4.26	S/426.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/4.26	S/12,780.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-33-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	42 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	QFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	FDMC2523P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	210 mg

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Hoja de datos

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V P-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi 150V P-Channel PowerTrench® MOSFETs deliver very low RDS(on), and the mid voltage P-channel silicon technology is optimized for low Qg which is ideal for load switching applications. This P-Channel MOSFET is produced using onsemi's advanced PowerTrench® process that has been optimized for low on-state resistance and while maintaining superior switching performance.

Mid-Voltage P-Channel MOSFETs

onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are 100V and 150V P-Channel MOSFETs that offer the best in class R_DS-ON and Q_g in the industry. Each of these devices is produced using PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are ideal for high side switching on motor drives and lighting, active clamp in DC-DC, and load switching.

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.