DMWSH120H90SCT7

Diodes Incorporated
621-DMWSH120H90SCT7
DMWSH120H90SCT7

Fabricante:

Descripción:
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

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Diodes Incorporated
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
Restricción de entrega:
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RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
38.2 A
90 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.5 V
54.6 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 5 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 18.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 17.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9.1 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.